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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FQD5N20LTF
FQD5N20LTF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、37W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥222.64675

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥222.64675

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BS170ZL1G
BS170ZL1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.73254

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.73254

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MMBF170LT3G
MMBF170LT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.28972

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥364.17301

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MMDF3N02HDR2G
MMDF3N02HDR2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.41817

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.41817

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FQP9N08
FQP9N08
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.18640

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.18640

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NIF9N05CLT1G
NIF9N05CLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 59 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 1.69W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥895.29487

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FQP7N20L
FQP7N20L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.64179

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.64179

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NILMS4501NR2G
NILMS4501NR2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 4-PLLP (6.2x5.2) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.71038

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.71038

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NTB23N03RT4G
NTB23N03RT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta) 最大功耗: 37.5W (Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.66587

11894

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.61750

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FQPF5P10
FQPF5P10
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A(Tc) 最大功耗: 23W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.60505

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.60505

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NTB60N06LT4G
NTB60N06LT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta)、150W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.31533

350

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,560.36515

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FQD13N06LTF
FQD13N06LTF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、28W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.89476

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NTB75N06T4G
NTB75N06T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta)、214W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.94215

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.94215

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FQD1N50TF
FQD1N50TF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.89044

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.89044

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NTB90N02T4G
NTB90N02T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Ta) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

5795

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.72514

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FQU13N06TU
FQU13N06TU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、28W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥53.42363

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.42363

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NTD12N10T4G
NTD12N10T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.28W(Ta),56.6W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥111.65655

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥111.65655

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FQD1N50TM
FQD1N50TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.44378

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.44378

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NTD23N03RT4G
NTD23N03RT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 最大功耗: 1.14W(Ta),22.3W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.72429

1084941

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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FQD3P20TF
FQD3P20TF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、37W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.36560

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.36560

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