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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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操作
PN3685
PN3685
MOSFET N-CH TO-92

¥8.83634

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.83634

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NDF11N50ZG
NDF11N50ZG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.12845

778

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.43783

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FDZ5047N
FDZ5047N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta) 供应商设备包装: 36-BGA (5x5.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥40.35744

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.35744

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NTD4863N-35G
NTD4863N-35G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Ta), 49A (Tc) 最大功耗: 1.27W(Ta)、36.6W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.95558

177225

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.69713

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SFM9014TF
SFM9014TF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.21153

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.21153

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NTD5865N-1G
NTD5865N-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 43A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.60744

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,499.28030

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NTD5407NG
NTD5407NG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Ta), 38A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.81073

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,957.39373

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ISL9N303AS3ST
ISL9N303AS3ST
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 215W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.39169

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.39169

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SFM9110TF
SFM9110TF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 2.52W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.40320

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.40320

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NTD5865NL-1G
NTD5865NL-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.78031

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.78031

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NTD5407NT4G
NTD5407NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Ta), 38A (Tc) 最大功耗: 2.9W(Ta)、75W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.66587

53150

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.61750

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HUFA75345G3
HUFA75345G3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 325W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥91.62269

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥91.62269

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NTLUS3A90PZTBG
NTLUS3A90PZTBG
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥164.21103

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥164.21103

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SFP9540
SFP9540
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 132W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.29749

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.29749

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NTD5867NL-1G
NTD5867NL-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.59344

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.59344

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NTD6600N-1G
NTD6600N-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.28W(Ta),56.6W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.96959

1425

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.49586

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FQAF19N60
FQAF19N60
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.2A(Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥42.80554

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.80554

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NTTFSC4823NTAG
NTTFSC4823NTAG
MOSFET 30V 50A 8WDFN

¥1.73830

24000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,181.56148

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SFP9630
SFP9630
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.72774

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.72774

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NTMKB4895NT1G
NTMKB4895NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、66A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.58624

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.58624

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