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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NVTGS3455T1G
NVTGS3455T1G
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP

¥48.88958

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.88958

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NVMFS5C450NWFT1G
NVMFS5C450NWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 102A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 68W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.15992

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.15992

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FDMS9408L-F085
FDMS9408L-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W(Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.93966

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.93966

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NDD60N900U1-35G
NDD60N900U1-35G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.27331

44250

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,166.56868

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NTP5860NG
NTP5860NG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A(Tc) 最大功耗: 283W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.41433

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.41433

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NVMFS5C450NWFT3G
NVMFS5C450NWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 102A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 68W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.18121

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.18121

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NDD60N900U1T4G
NDD60N900U1T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.27331

1922

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,166.56868

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NTP5860NLG
NTP5860NLG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A(Tc) 最大功耗: 283W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.96479

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.96479

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NVMFS5C456NLT1G
NVMFS5C456NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 87A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 55W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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NVMFS5C456NLT3G
NVMFS5C456NLT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 87A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 55W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥77.33969

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥77.33969

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NVMFS5C456NLWFT1G
NVMFS5C456NLWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 87A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 55W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥137.85354

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥137.85354

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ATP114-TL-H
ATP114-TL-H
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥16.96287

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.96287

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NVMFS5C456NLWFT3G
NVMFS5C456NLWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 87A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 55W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥77.32520

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥77.32520

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NDPL100N10BG
NDPL100N10BG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 2.1W(Ta)、110W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥49.51246

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.51246

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NVMFS5C460NLT1G
NVMFS5C460NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 78A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.94062

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.94062

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NTMFS4C05NT3G
NTMFS4C05NT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.9A(Ta) 最大功耗: 770mW (Ta) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.83010

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.83010

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NVMFS5C460NLT3G
NVMFS5C460NLT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 78A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.49012

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.49012

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NTMFS4C06NAT1G
NTMFS4C06NAT1G
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

¥2.02801

1407

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,853.41288

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NVMFS5C460NLWFT1G
NVMFS5C460NLWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 78A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥124.76620

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥124.76620

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NTMFS4C10NAT1G
NTMFS4C10NAT1G
MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

¥2.02801

5700

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.02886

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