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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDD6637-F085
FDD6637-F085
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 35伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥39.85044

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.85044

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FDS4070N7
FDS4070N7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.3A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.88124

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.88124

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NVMFS6B14NWFT3G
NVMFS6B14NWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥87.56666

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥87.56666

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FDD6N50TM-F085
FDD6N50TM-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.98312

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.98312

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FDS4072N3
FDS4072N3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.4A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.19656

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.19656

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NTLUS3A39PZCTAG
NTLUS3A39PZCTAG
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A(Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.39016

69000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,155.92161

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FDD8445-F085
FDD8445-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.40416

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,821.22721

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FDS4072N7
FDS4072N7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.4A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥76.26774

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥76.26774

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NVMFS5C645NLT3G
NVMFS5C645NLT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.12749

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.12749

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FDMS7676
FDMS7676
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、28A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、48W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.54902

1800

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.54987

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FDS4080N3
FDS4080N3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.62682

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.62682

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NVMFS5C645NLWFT1G
NVMFS5C645NLWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.29978

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FDS4465-F085
FDS4465-F085
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.09420

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.09420

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FDS4080N7
FDS4080N7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 3.9W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.87836

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.87836

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NVMFS5C645NLWFT3G
NVMFS5C645NLWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.46551

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.46551

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FDC642P-F085
FDC642P-F085
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.2W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥47.77417

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.77417

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FDS5170N7
FDS5170N7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.6A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥36.99673

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.99673

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FDFME2P823ZT
FDFME2P823ZT
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.70549

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.70549

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FDS6064N3
FDS6064N3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.65627

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.65627

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FDMC612PZ
FDMC612PZ
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 2.3W(Ta),26W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.58873

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.58873

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