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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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2N7002MTF
2N7002MTF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Tc) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.40176

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.40176

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FDFS2P102
FDFS2P102
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.23033

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.23033

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NVMFS5C682NLWFT1G
NVMFS5C682NLWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.94791

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.94791

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FDFM2N111
FDFM2N111
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: MicroFET 3x3毫米 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.39505

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.39505

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FDG312P
FDG312P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.63210

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.63210

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FDFS2P103A
FDFS2P103A
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥75.90559

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥75.90559

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NVMFS5C682NLWFT3G
NVMFS5C682NLWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.97400

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.97400

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FDFM2P110
FDFM2P110
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MicroFET 3x3毫米 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.08116

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.08116

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FDFS2P103
FDFS2P103
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.85523

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.85523

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NVMFS6B03NT1G
NVMFS6B03NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.19848

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FDS6679
FDS6679
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.93927

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.93927

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FDFS6N303
FDFS6N303
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.45827

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.45827

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NVMFS6B03NT3G
NVMFS6B03NT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.60553

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.60553

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FDS8876
FDS8876
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.50460

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.50460

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FDJ128N
FDJ128N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.73551

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.73551

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FDS4465_SN00187
FDS4465_SN00187
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A 最大功耗: 1.2瓦 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥41.28453

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.28453

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NVMFS6B03NWFT1G
NVMFS6B03NWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.11349

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.11349

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FDB8444-F085
FDB8444-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 167W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.73590

12800

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.16652

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FDJ129P
FDJ129P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥48.99098

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.99098

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FDS6298_G
FDS6298_G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tj) 最大功耗: 1.2瓦 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.67364

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.67364

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