onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Tc) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.40176 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.40176 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.23033 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.23033 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥17.94791 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.94791 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: MicroFET 3x3毫米 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.39505 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.39505 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.63210 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.63210 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥75.90559 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.90559 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.97400 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.97400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MicroFET 3x3毫米 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.08116 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.08116 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥29.85523 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.85523 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.19848 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.19848 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥35.93927 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.93927 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.45827 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.45827 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.60553 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.60553 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.50460 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.50460 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥37.73551 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.73551 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A 最大功耗: 1.2瓦 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥41.28453 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.28453 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.11349 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.11349 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 167W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.73590 | 12800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.16652 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥48.99098 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.99098 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tj) 最大功耗: 1.2瓦 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.67364 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.67364 | 添加到BOM 立即询价 |