onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 98A(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.02561 | 1700 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.96564 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET 40V 110X72 MIL DPAK | ¥101.79172 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥101.79172 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta)、28A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、27W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.67747 | 185 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.67747 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 150A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥32.60754 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.60754 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 49W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.23858 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.23858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 150A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥84.88679 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.88679 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 最大功耗: 1.4W(Ta),52W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.92517 | 1713 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 150A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.45779 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.45779 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta)、71A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 61W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.22410 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.22410 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta)、71A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 61W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥64.73704 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.73704 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A (Ta), 92A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥203.96006 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥203.96006 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 35伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta),15W(Tc) 供应商设备包装: IPAK/TP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.24530 | 12500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.97764 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3 | ¥37.93831 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.93831 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥31.70942 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.70942 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.17287 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.00565 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥23.19177 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.19177 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK | ¥13.31245 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.31245 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 176W(Tj) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.55871 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.55871 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.15A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥78.13641 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.13641 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 330伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.65723 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.65723 | 添加到BOM 立即询价 |