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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
NTP5862NG
NTP5862NG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 98A(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.02561

1700

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.96564

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FDB9509L-F085
FDB9509L-F085
MOSFET 40V 110X72 MIL DPAK

¥101.79172

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥101.79172

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FDMS7692A
FDMS7692A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta)、28A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、27W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.67747

185

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.67747

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NVMFS5C423NLT3G
NVMFS5C423NLT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 150A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.60754

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.60754

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HUFA76409D3ST
HUFA76409D3ST
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 49W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.23858

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.23858

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NVMFS5C423NLWFT1G
NVMFS5C423NLWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 150A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥84.88679

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥84.88679

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NTD4809NT4G
NTD4809NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.6A (Ta), 58A (Tc) 最大功耗: 1.4W(Ta),52W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.92517

1713

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.92517

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NVMFS5C423NLWFT3G
NVMFS5C423NLWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 150A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.45779

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.45779

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NVMFS5C670NLWFT1G
NVMFS5C670NLWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta)、71A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 61W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.22410

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.22410

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NVMFS5C670NLWFT3G
NVMFS5C670NLWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta)、71A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 61W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥64.73704

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.73704

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NVMFS5C645NWFT1G
NVMFS5C645NWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A (Ta), 92A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥203.96006

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥203.96006

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SFT1431-W
SFT1431-W
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 35伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta),15W(Tc) 供应商设备包装: IPAK/TP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.24530

12500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,159.97764

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STD3055L104T4G
STD3055L104T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3

¥37.93831

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.93831

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FCH099N65S3_F155
FCH099N65S3_F155
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.70942

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.70942

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NTDV3055L104T4G
NTDV3055L104T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.17287

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,162.00565

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FCPF250N65S3L1
FCPF250N65S3L1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.19177

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.19177

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STI13NM60N
STI13NM60N
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK

¥13.31245

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.31245

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FDB9406L-F085
FDB9406L-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 176W(Tj) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.55871

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.55871

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FDV045P20L
FDV045P20L
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.15A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥78.13641

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥78.13641

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FQB25N33TM-F085
FQB25N33TM-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 330伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.65723

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.65723

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