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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NTMTSC1D6N10MCTXG
NTMTSC1D6N10MCTXG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 267A (Tc) 最大功耗: 5.1W (Ta), 291W (Tc) 供应商设备包装: 8-TDFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥50.99002

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合计: ¥50.99002

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NVBLS1D1N08H
NVBLS1D1N08H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 41A (Ta), 351A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 311W (Tc) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥51.13487

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合计: ¥51.13487

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NVH4L020N120SC1
NVH4L020N120SC1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 102A(Tc) 最大功耗: 510W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥292.10616

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合计: ¥292.10616

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NTH4L020N120SC1
NTH4L020N120SC1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 102A(Tc) 最大功耗: 510W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥293.77202

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合计: ¥293.77202

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NTMJS0D9N04CLTWG
NTMJS0D9N04CLTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta), 330A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 167W (Tc) 供应商设备包装: 8-LFPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.43898

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IRLM220ATF
IRLM220ATF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.13A(Ta) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.52125

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合计: ¥2.52125

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NTMJS1D0N04CTWG
NTMJS1D0N04CTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Ta), 300A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 166W (Tc) 供应商设备包装: 8-LFPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.43898

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合计: ¥21.43898

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MCH3477-TL-H
MCH3477-TL-H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-70FL/MCPH3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.15886

859901

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合计: ¥2,160.12250

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NVMFS5C466NT1G
NVMFS5C466NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 37W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.64388

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合计: ¥3,965.81400

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MTP75N06HD
MTP75N06HD
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥7.74990

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合计: ¥7.74990

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FDB86566-F085
FDB86566-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 176W(Tj) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.01842

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合计: ¥22.01842

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NVTFS027N10MCLTAG
NVTFS027N10MCLTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Ta), 28A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、46W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.65532

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,982.98000

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NTD4979N-35G
NTD4979N-35G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta), 41A (Tc) 最大功耗: 1.38W(Ta),26.3W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.49434

10875

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合计: ¥2,620.75275

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FQD2N60CTM
FQD2N60CTM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.9A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、44W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.35105

12

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合计: ¥2.35105

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NVF3055L108T3G
NVF3055L108T3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.50339

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合计: ¥14,013.56400

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NVMFS6H824NLT1G
NVMFS6H824NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、110A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 116W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.41337

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合计: ¥14.41337

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NVD5C478NLT4G
NVD5C478NLT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、45A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 30W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.50469

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合计: ¥8,761.73500

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2N7002LT3G
2N7002LT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Tc) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.59344

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合计: ¥1.59344

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NVD5C478NT4G
NVD5C478NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、43A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 30W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.50469

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合计: ¥8,761.73500

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2SJ257-E
2SJ257-E
P-CHANNEL POWER MOSFET

¥7.82233

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