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NTMTSC1D6N10MCTXG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 267A (Tc) 最大功耗: 5.1W (Ta), 291W (Tc) 供应商设备包装: 8-TDFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 50.99001 50.99001
10+ 45.76788 457.67885
100+ 37.49939 3749.93900
500+ 31.92250 15961.25100
1000+ 30.59386 30593.86500
3000+ 30.59379 91781.37600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥50.99002
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥50.99
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 安装类别 表面安装,可润湿侧翼
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 106 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Ta), 267A (Tc)
  • 供应商设备包装 8-TDFNW (8.3x8.4)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.7毫欧姆@90A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 650A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7630 pF @ 50 V
  • 最大功耗 5.1W (Ta), 291W (Tc)

NTMTSC1D6N10MCTXG 产品详情

NTMTSC1D6N10MCTXG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTMTSC1D6N10MCTXG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMTSC1D6N10MCTXG价格参考¥50.990016,你可以下载 NTMTSC1D6N10MCTXG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMTSC1D6N10MCTXG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

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