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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FGD2736G3-F085
FGD2736G3-F085
集电极击穿电压: 360伏 最大集电极电流 (Ic): 21A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.52957

0

2-3 工作日

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合计: ¥4.52957

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FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD
IGBT型: NPT and Trench 集电极击穿电压: 1000伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 180瓦 供应商设备包装: TO-264-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥90.69559

9000

5-7 工作日

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合计: ¥90.69559

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NGTD30T120F2WP
NGTD30T120F2WP
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.01927

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥47.01927

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HGTG12N60B3
HGTG12N60B3
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 27 A 最大功率: 104瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥157.48093

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥157.48093

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NGTD28T65F2SWK
NGTD28T65F2SWK
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥43.06772

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥43.06772

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HGTD7N60C3S9A
HGTD7N60C3S9A
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 60 W 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥110.34920

0

2-3 工作日

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合计: ¥110.34920

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HGTG11N120CN
HGTG11N120CN
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 43 A 最大功率: 298 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥228.13686

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥228.13686

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NGTD30T120F2SWK
NGTD30T120F2SWK
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.51321

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥47.51321

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SGH30N60RUFDTU
SGH30N60RUFDTU
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 235瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.32694

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.32694

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NGTB25N120FL2WAG
NGTB25N120FL2WAG
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 385 W 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.02082

8874

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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NGTD20T120F2SWK
NGTD20T120F2SWK
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.38743

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥7,884.31383

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FGA25N120ANDTU
FGA25N120ANDTU
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 310瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,188.73372

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,188.73372

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HGT1S12N60A4DS
HGT1S12N60A4DS
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 54 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥280.58366

9000

5-7 工作日

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合计: ¥280.58366

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NGTB40N120FL2WAG
NGTB40N120FL2WAG
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 160 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥56.87713

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,199.60739

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HGTG12N60C3D
HGTG12N60C3D
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 24A 最大功率: 104瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥32.44819

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.44819

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HGT1S3N60A4DS9A
HGT1S3N60A4DS9A
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 17 A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.11646

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.11646

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NGTB40N65IHRWG
NGTB40N65IHRWG
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 405 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥199.77946

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥199.77946

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FGA6540WDF
FGA6540WDF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 238 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2,029.38815

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2,029.38815

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SGL50N60RUFTU
SGL50N60RUFTU
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-264-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥128.22830

9000

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合计: ¥128.22830

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FGH20N60UFDTU
FGH20N60UFDTU
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 165瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.03671

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