9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HGTG12N60B3，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。HGTG12N60B3参考价格为21.7428美元。onsemi HGTG12N60B3封装/规格：IGBT 600V 27A 104W TO247。您可以下载HGTG12N60B3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的东西，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如HGTG12N60B3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
HGTG11N120CND是IGBT 1200V 43A 298W TO247，包括管封装，它们设计用于HGTG11N1 20CND_NL零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于to-247-3，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为298W，反向恢复时间trr为70ns，集电器Ic最大值为43A，集电器发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为80A，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，11A，开关能量为950μJ（开），1.3mJ（关），栅极电荷为100nC，25°C时的Td为23ns/180ns，测试条件为960V，11A，10欧姆，15V，Pd功耗为298 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极-发射极饱和电压为2.1V，25℃时的连续集电极电流为43A，栅极-发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为43A。
HGTG12N60A4D是IGBT 600V 54A 167W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、12A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于390V、12A、10 Ohm、15V，提供25°C的Td开-关特性，如17ns/96ns，开关能量设计为在55μJ（开）、50μJ（关）下工作，以及TO-247供应商设备包，该设备也可以用作30ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为167W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，栅极电荷为78nC，集电器脉冲Icm为96A，集电器Ic最大值为54A。
HGTG12N60A4是IGBT 600V 54A 167W TO247，包括54A集流器Ic Max，它们设计用于96A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于78nC，提供输入型功能，如标准，安装型设计用于通孔，以及to-247-3封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为167W，该设备在TO-247供应商设备包中提供，该设备具有55μJ（开）、50μJ（关）的开关能量，25°C时的Td开/关为17ns/96ns，测试条件为390V、12A、10欧姆、15V，最大Vge Ic为2.7V@15V、12A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
