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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NGTD23T120F2WP
NGTD23T120F2WP
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥36.73052

0

2-3 工作日

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合计: ¥4,260.74032

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FGH40T120SQDNL4
FGH40T120SQDNL4
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 160 A 最大功率: 454 W 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥46.48329

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥46.48329

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NGTB45N60SWG
NGTB45N60SWG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.57251

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,268.70060

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FGAF40N60UFTU
FGAF40N60UFTU
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥40.89226

10

2-3 工作日

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合计: ¥40.89226

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FGPF15N60UNDF
FGPF15N60UNDF
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 42瓦 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.87337

1

2-3 工作日

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合计: ¥19.87337

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NGTD23T120F2SWK
NGTD23T120F2SWK
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥36.94071

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,248.18154

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FGH75T65SHDT-F155
FGH75T65SHDT-F155
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 455 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.87557

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.87557

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FGH40N60SMD-F085
FGH40N60SMD-F085
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 349 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥34.84933

0

2-3 工作日

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合计: ¥34.84933

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AFGB30T65SQDN
AFGB30T65SQDN
集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: DPAK-3 (TO-263-3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥40.78717

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥40.78717

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FGHL50T65MQD
FGHL50T65MQD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 268 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥28.92200

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥13,014.90045

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FGY60T120SQDN
FGY60T120SQDN
集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 517 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥64.50699

321

2-3 工作日

- +

合计: ¥64.50699

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FGD3N60UNDF
FGD3N60UNDF
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 6 A 最大功率: 60 W 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.83435

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4.83435

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FGH75T65SQD-F155
FGH75T65SQD-F155
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.83252

5

2-3 工作日

- +

合计: ¥22.83252

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FGH60N60SFDTU
FGH60N60SFDTU
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 378 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.95566

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥25.95566

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FGH75T65SQDNL4
FGH75T65SQDNL4
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥75.39859

1

5-7 工作日

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合计: ¥75.39859

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NGTD28T65F2WP
NGTD28T65F2WP
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥39.92539

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,272.01705

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NGTB40N120FL3WG
NGTB40N120FL3WG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 160 A 最大功率: 454 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥51.35216

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.35216

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FGA6560WDF
FGA6560WDF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 306瓦 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.88637

100

2-3 工作日

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合计: ¥2,563.29642

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NGTB75N65FL2WG
NGTB75N65FL2WG
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 595 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥39.86234

0

2-3 工作日

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合计: ¥39.86234

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HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 298 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.74636

110

2-3 工作日

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合计: ¥13.74636

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