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HGT1S10N120BNST

  • 描述:IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 298 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.74635 13.74635
10+ 12.18045 121.80450
30+ 11.93873 358.16199
100+ 11.56039 1156.03930
  • 库存: 110
  • 单价: ¥13.74636
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.75
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • IGBT型 NPT
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 最大整流电流 (Icm) 80 A
  • 门电荷 100 nC
  • 最大集电极电流 (Ic) 35A
  • 最大功率 298 W
  • 试验条件 960V、10A、10欧姆、15V
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.7V @ 15V, 10A
  • 开通/关断延时 (25°C) 23ns/165ns
  • 开关能量 320J (on), 800J (off)

HGT1S10N120BNST 产品详情

HGT1S10N120BNST是一种N沟道非穿通(NPT)IGBT,非常适合在中等频率下工作的许多高压开关应用,其中低传导损耗是必不可少的,例如UPS和太阳能逆变器。它是MOS门控高压开关IGBT家族的新成员。它结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。

特色

  • 短路额定值
  • 雪崩等级
  • 2.45V@IC=10A低饱和电压
  • TJ=150°C时的140ns下降时间
  • 298W总功耗@TC=25°C

应用

  • 不间断电源
HGT1S10N120BNST所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),HGT1S10N120BNST 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HGT1S10N120BNST价格参考¥13.746358,你可以下载 HGT1S10N120BNST中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HGT1S10N120BNST规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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