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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS4C4M32D1A-5BIN
AS4C4M32D1A-5BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12)

¥29.06913

0

2-3 工作日

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合计: ¥29.06913

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AS7C38098A-10TIN
AS7C38098A-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥112.26495

921

5-7 工作日

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合计: ¥112.26495

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AS4C512M8D3LC-12BINTR
AS4C512M8D3LC-12BINTR
512M X 8, 1.35V, 800MHZ, DDR3-16

¥88.00124

4681

5-7 工作日

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合计: ¥88.00124

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AS4C128M8D2A-25BIN
AS4C128M8D2A-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥53.52503

2308

5-7 工作日

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合计: ¥53.52503

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AS7C256A-12JCN
AS7C256A-12JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥19.77312

150

5-7 工作日

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合计: ¥19.77312

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AS7C325632-10BIN
AS7C325632-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥146.59630

1

5-7 工作日

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合计: ¥146.59630

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AS4C4M16SA-7BCN
AS4C4M16SA-7BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥23.86696

851

2-3 工作日

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合计: ¥23.86696

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M29F400FB55N3E2
M29F400FB55N3E2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥31.94119

1027

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.94119

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AS7C1026B-20JCNTR
AS7C1026B-20JCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥24.56444

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥24,564.44000

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AS7C3513B-10JCNTR
AS7C3513B-10JCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥29.14270

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2-3 工作日

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合计: ¥14,571.34950

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AS4C2M32SA-6TINTR
AS4C2M32SA-6TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥104.75818

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2-3 工作日

- +

合计: ¥104,758.17700

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AS4C16M32MD1-5BIN
AS4C16M32MD1-5BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13)

¥41.12347

0

2-3 工作日

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合计: ¥6,579.75520

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AS6C3216A-55BINTR
AS6C3216A-55BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10)

¥141.23655

0

5-7 工作日

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合计: ¥286,427.72340

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AS6C1616-55TINLTR
AS6C1616-55TINLTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥76.59367

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合计: ¥76,593.66800

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AS4C4M16S-6BIN
AS4C4M16S-6BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥18.09276

0

5-7 工作日

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合计: ¥18.09276

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AS4C32M8D1-5TCNTR
AS4C32M8D1-5TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥33.91399

0

2-3 工作日

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合计: ¥33.91399

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AS4C32M8D1-5TINTR
AS4C32M8D1-5TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥477.62580

0

5-7 工作日

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合计: ¥477.62580

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AS4C128M8D1-6TIN
AS4C128M8D1-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥361.13616

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合计: ¥361.13616

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AS4C64M16D2-25BANTR
AS4C64M16D2-25BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥58.16049

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AS4C64M16D3A-12BANTR
AS4C64M16D3A-12BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥43.28357

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