Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12) | ¥29.06913 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29.06913 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥112.26495 | 921 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥112.26495 | 添加到BOM 立即询价 | ||
512M X 8, 1.35V, 800MHZ, DDR3-16 | ¥88.00124 | 4681 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.00124 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10) | ¥53.52503 | 2308 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.52503 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥19.77312 | 150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.77312 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥146.59630 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥146.59630 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥23.86696 | 851 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥23.86696 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥31.94119 | 1027 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.94119 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥24.56444 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,564.44000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥29.14270 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14,571.34950 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥104.75818 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥104,758.17700 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13) | ¥41.12347 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,579.75520 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10) | ¥141.23655 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥286,427.72340 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥76.59367 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76,593.66800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥18.09276 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.09276 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥33.91399 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33.91399 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥477.62580 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥477.62580 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥361.13616 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥361.13616 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥58.16049 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.16049 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13) | ¥43.28357 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.28357 | 添加到BOM 立即询价 |