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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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N25Q064A11ESF40G
N25Q064A11ESF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO W

¥18.70117

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5-7 工作日

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合计: ¥18.70117

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MT29F2T08CVCCBG6-6R:C
MT29F2T08CVCCBG6-6R:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 272-LFBGA (14x18)

¥63.34640

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5-7 工作日

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合计: ¥63.34640

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M36L0R7050T4ZSPE
M36L0R7050T4ZSPE
IC FLASH PSRAM 160M

¥60.10158

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合计: ¥60.10158

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N25Q064A13ESEC0G
N25Q064A13ESEC0G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO W

¥224.50093

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5-7 工作日

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合计: ¥224.50093

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MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 132-TBGA (12x18)

¥538.29233

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合计: ¥538.29233

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M36P0R8060E0ZAQE
M36P0R8060E0ZAQE
IC FLASH PSRAM 320M

¥63.33192

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5-7 工作日

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合计: ¥63.33192

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N25Q128A13ESEC0E
N25Q128A13ESEC0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOP2

¥469.89038

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5-7 工作日

- +

合计: ¥469.89038

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MT29F32G08ABAAAM73A3WC1
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥57.59554

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合计: ¥57.59554

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EDFA164A2PK-GD-F-D
EDFA164A2PK-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 216-FBGA (12x12)

¥34.91078

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合计: ¥34.91078

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N25Q128A13ESFC0G
N25Q128A13ESFC0G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥47.00642

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5-7 工作日

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合计: ¥47.00642

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MT29F32G08ABEABM73A3WC1
MT29F32G08ABEABM73A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥56.13248

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合计: ¥56.13248

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N25Q256A83ESF40G
N25Q256A83ESF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥134.18197

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5-7 工作日

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合计: ¥134.18197

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MT29F512G08CKCBBH7-6C:B
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥110.57011

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合计: ¥110.57011

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PC28F00AG18FE
PC28F00AG18FE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥94.15770

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合计: ¥94.15770

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EDFA164A2PK-JD-F-D
EDFA164A2PK-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 216-WFBGA (12x12)

¥54.81427

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5-7 工作日

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合计: ¥54.81427

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MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥54.51007

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5-7 工作日

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合计: ¥54.51007

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EDFA232A2PB-GD-F-D
EDFA232A2PB-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (512M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 216-FBGA (12x12)

¥10.09660

0

5-7 工作日

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合计: ¥10.09660

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EDFA232A2PB-JD-F-D
EDFA232A2PB-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (512M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 216-FBGA (12x12)

¥6.27235

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合计: ¥6.27235

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EDFA232A2PD-GD-F-D
EDFA232A2PD-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (512M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥37.75000

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合计: ¥37.75000

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PC28F128P33BF60D
PC28F128P33BF60D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥23.74512

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2-3 工作日

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