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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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EMFA232A2PF-DV-F-D
EMFA232A2PF-DV-F-D
LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC TF

¥117.63918

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5-7 工作日

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合计: ¥117.63918

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MT42L128M32D1U80MWC2
MT42L128M32D1U80MWC2
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏

¥7.76439

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.76439

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EMFB232A1MA-DV-F-D
EMFB232A1MA-DV-F-D
LPDDR3 32G 1GX32 FBGA QDP

¥21.62730

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5-7 工作日

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合计: ¥21.62730

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EMFM432A1PH-DV-F-D
EMFM432A1PH-DV-F-D
LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC VF

¥37.31542

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合计: ¥37.31542

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N25Q064A11ESE40E
N25Q064A11ESE40E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO

¥54.11895

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合计: ¥54.11895

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N25Q064A11ESECFE
N25Q064A11ESECFE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO

¥947.03815

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合计: ¥947.03815

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N25Q064A13ESED0E
N25Q064A13ESED0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO W

¥45.74616

0

5-7 工作日

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合计: ¥45.74616

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N25Q064A13ESED0G
N25Q064A13ESED0G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO W

¥27.05947

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5-7 工作日

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合计: ¥27.05947

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N25Q064A13ESEH0E
N25Q064A13ESEH0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO W

¥41.93639

0

5-7 工作日

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合计: ¥41.93639

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N25Q128A11ESECFE
N25Q128A11ESECFE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOP2

¥32.50614

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5-7 工作日

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合计: ¥32.50614

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N25Q128A13ESEDFG
N25Q128A13ESEDFG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO

¥65.33096

0

5-7 工作日

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合计: ¥65.33096

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N25Q128A13ESEH0E
N25Q128A13ESEH0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO

¥49.45452

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合计: ¥49.45452

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EDF8132A3MA-GD-F-D
EDF8132A3MA-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥142.75756

0

5-7 工作日

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合计: ¥142.75756

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EDF8132A3MA-JD-F-D
EDF8132A3MA-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥30.37672

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合计: ¥30.37672

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MT29F1T08CUCCBH8-6C:C
MT29F1T08CUCCBH8-6C:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-LBGA (14x18)

¥44.90598

0

5-7 工作日

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合计: ¥44.90598

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EDFA232A2MA-GD-F-D
EDFA232A2MA-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (512M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥6.64898

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5-7 工作日

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合计: ¥6.64898

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MT29F256G08CKEDBJ5-12:D
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 132-TBGA (12x18)

¥9.67651

0

5-7 工作日

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合计: ¥9.67651

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MT29E256G08CECCBH6-6:C
MT29E256G08CECCBH6-6:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥34.33135

0

5-7 工作日

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合计: ¥34.33135

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EDFA232A2MA-JD-F-D
EDFA232A2MA-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (512M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥58.88478

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5-7 工作日

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合计: ¥58.88478

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MT29F512G08CMCABK7-6:A
MT29F512G08CMCABK7-6:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫

¥29.65243

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合计: ¥29.65243

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