品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-LBGA (14x18) | ¥164.08066 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥164.08066 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 272-LFBGA (14x18) | ¥45.61578 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.61578 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 272-LFBGA (14x18) | ¥54.93015 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.93015 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8) | ¥120.18868 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.18868 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | ¥22.87308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.87308 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (128M x 64) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 253-FBGA (11x11) | ¥145.50986 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥145.50986 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (128M x 64) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 253-FBGA (11x11) | ¥71.03836 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.03836 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 800 MHz | ¥108.55659 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥108.55659 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 933兆赫 | ¥28.21834 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.21834 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥30.89821 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.89821 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥120.43494 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.43494 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥41.08173 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.08173 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥41.80602 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.80602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥36.69253 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.69253 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥55.16193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.16193 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5) | ¥33.56360 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.56360 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5) | ¥72.51012 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.51012 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 | ¥35.09909 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.09909 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TBGA（12x18） | ¥62.79594 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.79594 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 | ¥17.00633 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.00633 | 添加到BOM 立即询价 |