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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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M58LT256KSB7ZA6E
M58LT256KSB7ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥6.75038

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合计: ¥6.75038

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M58LT256KSB8ZA6E
M58LT256KSB8ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥55.07501

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合计: ¥55.07501

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M58WR032KB70ZB6E
M58WR032KB70ZB6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 56-VFBGA (7.7x9)

¥51.72671

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合计: ¥51.72671

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M58WR032KB70ZB6Z
M58WR032KB70ZB6Z
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 56-VFBGA (7.7x9)

¥57.76937

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M58WR032KB70ZQ6Z
M58WR032KB70ZQ6Z
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 88-VFBGA (8x10)

¥20.96095

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M58WR032KL70ZA6E
M58WR032KL70ZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 44-VFBGA (7.5x5)

¥45.15224

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M29W128FL70N6E
M29W128FL70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥92.95538

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合计: ¥92.95538

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N25Q008A11EF440E
N25Q008A11EF440E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫

¥83.84381

0

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合计: ¥83.84381

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N25Q008A11EF640E
N25Q008A11EF640E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫

¥150.52195

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5-7 工作日

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合计: ¥150.52195

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N25Q032A13EF840E
N25Q032A13EF840E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥63.83892

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合计: ¥63.83892

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N25Q064A13EF8H0E
N25Q064A13EF8H0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥58.62403

9000

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合计: ¥58.62403

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N25Q064A13ESFH0E
N25Q064A13ESFH0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO W

¥24.65483

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合计: ¥24.65483

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N25Q128A11EF740E
N25Q128A11EF740E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥25.84267

0

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合计: ¥25.84267

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N25Q128A13B1240E
N25Q128A13B1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥25.17632

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合计: ¥25.17632

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N25Q128A13E1440E
N25Q128A13E1440E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥16.48484

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N25Q128A13EF740E
N25Q128A13EF740E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥253.74776

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MT29F128G08CBCABH6-6M:A
MT29F128G08CBCABH6-6M:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥20.67124

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N25Q128A13ESFH0E
N25Q128A13ESFH0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥41.03827

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MT28EW512ABA1HPC-1SIT
MT28EW512ABA1HPC-1SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥27.60994

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MT28EW01GABA1LPC-1SIT
MT28EW01GABA1LPC-1SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥76.48502

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