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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT41K256M16TW-093:P
MT41K256M16TW-093:P
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥127.56196

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PC28F256P30T2E
PC28F256P30T2E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥52.06197

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NP8P128AE3BSM60E
NP8P128AE3BSM60E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP (18.4x14)

¥56.87125

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合计: ¥56.87125

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MT41K512M8DA-093:P
MT41K512M8DA-093:P
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥24.23474

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PC28F256P33T2E
PC28F256P33T2E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥154.53451

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PC28F064M29EWBX
PC28F064M29EWBX
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥35.60610

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RC28F256J3F95G
RC28F256J3F95G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥28.66740

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PC28F064M29EWHX
PC28F064M29EWHX
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥44.35552

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MT41K1G8SN-125:A
MT41K1G8SN-125:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x13.2)

¥630.56687

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PC28F064M29EWLX
PC28F064M29EWLX
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥63.36089

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MT41K512M16HA-125:A
MT41K512M16HA-125:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥93.72313

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PC28F064M29EWTX
PC28F064M29EWTX
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥45.36953

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MT41K1G8SN-107:A
MT41K1G8SN-107:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x13.2)

¥128.46007

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PC28F128M29EWHG
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥38.25700

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PC28F128M29EWHX
PC28F128M29EWHX
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

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MT41K512M16HA-107:A
MT41K512M16HA-107:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥232.89988

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PC28F128M29EWLX
PC28F128M29EWLX
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥66.20011

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MT41K2G4SN-125:A
MT41K2G4SN-125:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x13.2)

¥34.54863

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PC28F256M29EWLD
PC28F256M29EWLD
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

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PC28F320J3F75E
PC28F320J3F75E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

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