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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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N25Q016A11EV7A0
N25Q016A11EV7A0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫

¥46.71671

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5-7 工作日

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合计: ¥46.71671

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MT49H8M36BM-25:B
MT49H8M36BM-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥7.30084

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合计: ¥7.30084

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EDFA364A3MA-GD-F-R
EDFA364A3MA-GD-F-R
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥32.94071

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合计: ¥32.94071

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JS28F320J3D75E
JS28F320J3D75E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥9.34334

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合计: ¥9.34334

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MT29E384G08EBHBBJ4-3:B
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 384Gb (48G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥128.11242

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合计: ¥128.11242

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EDFB164A1PB-JD-F-D
EDFB164A1PB-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Gb (512M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥23.17728

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合计: ¥23.17728

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MT29F64G08AEAAAC5:A
MT29F64G08AEAAAC5:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥116.13266

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合计: ¥116.13266

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MT49H8M36FM-25:B
MT49H8M36FM-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥86.03117

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合计: ¥86.03117

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MT29F128G08CECDBJ4-6R:D
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥108.55659

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5-7 工作日

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合计: ¥108.55659

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PC28F320J3D75E
PC28F320J3D75E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥75.51448

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5-7 工作日

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合计: ¥75.51448

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NAND512R3A2SN6E
NAND512R3A2SN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥100.50248

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合计: ¥100.50248

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N25QH32A13EV7A0
N25QH32A13EV7A0
IC FLASH MEMORY NOR DIE

¥102.61741

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合计: ¥102.61741

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MT48H32M16LFBF-6:B
MT48H32M16LFBF-6:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x9)

¥37.04019

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5-7 工作日

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合计: ¥37.04019

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PC28F640J3D75E
PC28F640J3D75E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥31.39073

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5-7 工作日

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合计: ¥31.39073

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MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1.5Tb(192G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥136.28241

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5-7 工作日

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合计: ¥136.28241

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NAND512R3A2SN6F
NAND512R3A2SN6F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥24.04643

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JS28F256P30BFF
JS28F256P30BFF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫

¥64.31695

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合计: ¥1,414.97294

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MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥48.13631

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合计: ¥48.13631

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TE28F256P30T95A
TE28F256P30T95A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥43.18217

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合计: ¥43.18217

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M25P20-AV3D11
M25P20-AV3D11
SERIAL NOR SLC 2MX1 3.0V 2M DIE

¥27.63891

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