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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT29F64G08AEAAAC5-IT:A
MT29F64G08AEAAAC5-IT:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥58.71095

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5-7 工作日

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合计: ¥58.71095

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MT29F256G08CECCBH6-6R:C
MT29F256G08CECCBH6-6R:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥56.66845

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合计: ¥56.66845

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TE28F256P30B95A
TE28F256P30B95A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥94.75162

0

5-7 工作日

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合计: ¥94.75162

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N25Q032A13EV7A0
N25Q032A13EV7A0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫

¥53.91615

0

5-7 工作日

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合计: ¥53.91615

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NAND512R3A2SZA6F
NAND512R3A2SZA6F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥27.89965

0

5-7 工作日

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合计: ¥27.89965

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M29W320DB7AN6F
M29W320DB7AN6F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥20.28012

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5-7 工作日

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合计: ¥1,825.21080

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MT29F32G08CBADAWP-M:D
MT29F32G08CBADAWP-M:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥105.93466

0

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合计: ¥105.93466

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TE28F256P33T95A
TE28F256P33T95A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥47.57137

9000

5-7 工作日

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合计: ¥47.57137

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NAND512W3A2SE06
NAND512W3A2SE06
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥44.35552

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.35552

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MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P
MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥43.48637

0

5-7 工作日

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合计: ¥43.48637

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MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥43.08077

0

5-7 工作日

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合计: ¥43.08077

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MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J
MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 1866 MHz 供应商设备包装: 149-WFBGA (8x9.5)

¥38.27148

0

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合计: ¥38.27148

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MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12)

¥34.78041

0

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合计: ¥34.78041

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MT28GU512AAA2EGC-0AAT
MT28GU512AAA2EGC-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 64-TBGA (10x8)

¥54.07549

0

5-7 工作日

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合计: ¥54.07549

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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz

¥115.36491

0

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合计: ¥115.36491

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MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J
MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 1866 MHz 供应商设备包装: 149-WFBGA (8x9.5)

¥142.90242

0

5-7 工作日

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合计: ¥142.90242

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MT29F64G08CBAAAWP-Z:A
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥46.03587

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合计: ¥46.03587

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28032116
28032116
IC FLASH PAR NOR SLC 1MX16 TSOP

¥33.15800

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合计: ¥33.15800

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MT48H4M16LFB4-8:H
MT48H4M16LFB4-8:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥22.07636

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合计: ¥22.07636

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28153735
28153735
IC FLASH PAR NOR SLC 2MX8 PQFP

¥10.31389

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