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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT49H16M36FM-25:B
MT49H16M36FM-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥48.26669

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MT29F8G08ABABAM61A3WC1
MT29F8G08ABABAM61A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥60.11607

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MT29F512G08CUCABH3-10R:A
MT29F512G08CUCABH3-10R:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18)

¥67.04028

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NAND256W3A0BE06
NAND256W3A0BE06
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥20.39601

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MT53B2DANL-DC
MT53B2DANL-DC
LPDDR4 16G 256MX64 FBGA DDP

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NAND256W3A0BN6E
NAND256W3A0BN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥23.61185

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MT49H16M36FM-25E:B
MT49H16M36FM-25E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥34.60658

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MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1.5Tb(192G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥61.53568

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M58BW32FB4D150
M58BW32FB4D150
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥71.21219

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MT29F64G08CBABBWPR:B
MT29F64G08CBABBWPR:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

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NAND256W3A2BE06
NAND256W3A2BE06
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

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MT49H32M18BM-25E:B
MT49H32M18BM-25E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

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MT29F512G08CUCABH3-10Z:A
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18)

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M58BW32FT4D150
M58BW32FT4D150
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

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MT29F64G08CBEDBL84C3WC1
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

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JS28F640J3D75E
JS28F640J3D75E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥171.09178

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NAND512R3A2SE06
NAND512R3A2SE06
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏

¥12.25499

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MT49H32M18FM-25:B
MT49H32M18FM-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

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MT49H32M18FM-25E:B
MT49H32M18FM-25E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

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MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18)

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