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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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N25Q128A21BF840E
N25Q128A21BF840E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥17.31053

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MT28EW128ABA1HPN-0SIT
MT28EW128ABA1HPN-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-VFBGA (7x9)

¥35.34535

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MT28EW128ABA1LPN-0SIT
MT28EW128ABA1LPN-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-VFBGA (7x9)

¥32.36128

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N25Q128A23B1240E
N25Q128A23B1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥581.79319

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MT28EW256ABA1HPN-0SIT
MT28EW256ABA1HPN-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-VFBGA (7x9)

¥73.60235

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N25Q128A23BF840E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥131.77732

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N25Q128A23BSF40E
N25Q128A23BSF40E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥57.45068

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N25Q256A11E1240E
N25Q256A11E1240E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥58.59506

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N25Q256A11EF840E
N25Q256A11EF840E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥203.30820

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N25Q256A83E1241E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥20.56984

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N25W128A11EF740E
N25W128A11EF740E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥293.17811

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N25W256A11EF840E
N25W256A11EF840E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 100-LBGA(14x18)

¥157.54756

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PN28F256M29EWHD
PN28F256M29EWHD
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥80.09199

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N2M400HDB321A3CE
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 100-LBGA(14x18)

¥18.65771

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JS28F256P30T2E
JS28F256P30T2E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥59.92776

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NAND512R3A2SZA6E
NAND512R3A2SZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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JS28F256P33T2E
JS28F256P33T2E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

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NP5Q032AE3ESFC0E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 16-SO W

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M28W320HCB70D11
M28W320HCB70D11
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥41.13967

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NP5Q064AE3ESFC0E
NP5Q064AE3ESFC0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 16-SO W

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