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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT46V64M8TG-5B:J
MT46V64M8TG-5B:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥9.06811

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合计: ¥9.06811

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N25Q032A13EV740
N25Q032A13EV740
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫

¥19.52106

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5-7 工作日

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合计: ¥19.52106

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PC28F128P33T85D
PC28F128P33T85D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥38.22594

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合计: ¥38.22594

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NANDAAR4N4AZBA5E
NANDAAR4N4AZBA5E
IC FLASH 2G SDR

¥278.17082

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合计: ¥278.17082

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N25Q064A13EW7DFE
N25Q064A13EW7DFE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

¥78.31024

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PC28F128J3D75E
PC28F128J3D75E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥43.57329

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合计: ¥43.57329

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N25Q064A13EW7DFF
N25Q064A13EW7DFF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

¥483.34769

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合计: ¥483.34769

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JS28F256J3D95A
JS28F256J3D95A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥18.67220

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合计: ¥18.67220

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MT40A2G4WE-075E:B
MT40A2G4WE-075E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x12)

¥69.85777

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合计: ¥69.85777

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MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫

¥61.99922

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合计: ¥61.99922

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N25Q128A11EV740
N25Q128A11EV740
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫

¥18.07828

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合计: ¥18.07828

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PC28F256J3D95A
PC28F256J3D95A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥15.81849

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合计: ¥15.81849

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MT40A2G4WE-083E:B
MT40A2G4WE-083E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x12)

¥36.86636

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合计: ¥36.86636

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N25Q128A13EW7DFE
N25Q128A13EW7DFE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫

¥40.00978

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合计: ¥40.00978

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PF38F3050M0Y3DEA
PF38F3050M0Y3DEA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 56-SCSP

¥35.92478

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合计: ¥35.92478

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N25Q128A13EW7DFF
N25Q128A13EW7DFF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫

¥13.90637

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合计: ¥13.90637

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MT40A2G8FSE-093E:A
MT40A2G8FSE-093E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9.5x13)

¥107.22389

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合计: ¥107.22389

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M25P128-VME6G
M25P128-VME6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥105.77531

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合计: ¥105.77531

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M25PE10-VD11
M25PE10-VD11
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz

¥51.64188

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MT40A2G8NRE-083E:B
MT40A2G8NRE-083E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x12)

¥59.53664

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