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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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M29W128GL70ZS6E
M29W128GL70ZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥68.14120

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5-7 工作日

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合计: ¥68.14120

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MT29F1G08ABBFAM78A3WC1
MT29F1G08ABBFAM78A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: Die

¥50.35264

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合计: ¥50.35264

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MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

¥20.98992

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合计: ¥20.98992

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MT29F1G16ABBEAHC:E
MT29F1G16ABBEAHC:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥83.62652

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合计: ¥83.62652

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MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫

¥52.09094

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合计: ¥52.09094

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M29W160EB70ZS6E
M29W160EB70ZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥10.27043

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合计: ¥10.27043

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MT29F2G08ABAGAM79A3WC1
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥33.47668

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合计: ¥33.47668

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MT29F256G08CMCABH2-12Z:A
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

¥527.55835

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合计: ¥527.55835

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MT29F1G16ABBEAHC-IT:E
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥475.43844

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合计: ¥475.43844

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MT46V32M16CV-5B:J
MT46V32M16CV-5B:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x12.5)

¥185.38927

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合计: ¥185.38927

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MT46V128M4CY-5B:J
MT46V128M4CY-5B:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥34.62106

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合计: ¥34.62106

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M29W160ET70ZS6E
M29W160ET70ZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥293.69960

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合计: ¥293.69960

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MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: Die

¥11.79144

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合计: ¥11.79144

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MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥37.34439

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M29W320EB70ZS6E
M29W320EB70ZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA

¥62.47726

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合计: ¥62.47726

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MT29F16G08CBACAL72A3WC1
MT29F16G08CBACAL72A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥15.81849

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合计: ¥15.81849

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MT49H16M18BM-5:B
MT49H16M18BM-5:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥132.57404

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MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥74.29767

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合计: ¥74.29767

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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 162-VFBGA (10.5x8)

¥64.04172

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合计: ¥64.04172

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MT29F256G08AUAAAC5-Z:A
MT29F256G08AUAAAC5-Z:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥52.68486

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