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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F16G16ADBCAH4:C
MT29F16G16ADBCAH4:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥154.76629

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MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥70.82108

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RC28F128J3F95D
RC28F128J3F95D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥18.87500

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MT29F128G08CBCEBRT-37B:E
MT29F128G08CBCEBRT-37B:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫

¥45.49990

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MT29F8G01ADAFD12-ITES:F
MT29F8G01ADAFD12-ITES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (8G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥6.75038

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MT41K512M8RG-107:N
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6)

¥355.65536

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MT29F16G16ADBCAH4-IT:C
MT29F16G16ADBCAH4-IT:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥19.16471

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MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥29.92766

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MT29F1G08ABADAH4-ITE:D
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥4.20088

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MT29F64G08AEEDBJ4-12:D
MT29F64G08AEEDBJ4-12:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥1,462.97889

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MT29F1G08ABAEAH4-IT:E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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MT44K64M18RB-093F:A
MT44K64M18RB-093F:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1.125Gb(64Mb x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥67.31551

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EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥18.74463

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MT29F1G08ABBEAH4:E
MT29F1G08ABBEAH4:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥46.76016

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MT41K512M8DA-125:P
MT41K512M8DA-125:P
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥497.61620

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M29W128GH70ZS6E
M29W128GH70ZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥24.09568

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MT29F1G08ABAFAM78A3WC1
MT29F1G08ABAFAM78A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥60.28990

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MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E
MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥46.70222

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MT29F1G16ABBEAH4:E
MT29F1G16ABBEAH4:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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EDB2432B4MA-1DIT-F-D
EDB2432B4MA-1DIT-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

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