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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F
MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥10.42978

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合计: ¥10.42978

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N25Q064A13EV140
N25Q064A13EV140
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥55.87173

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合计: ¥55.87173

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MT29F4G08ABBEAH4:E
MT29F4G08ABBEAH4:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥19.01986

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合计: ¥19.01986

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MT41K64M16V88AWC1
MT41K64M16V88AWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz

¥81.22188

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合计: ¥81.22188

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MT29F4G16ABAEAH4:E
MT29F4G16ABAEAH4:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥185.79487

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MT46H16M32LFT67M-N1003
MT46H16M32LFT67M-N1003
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏

¥106.80380

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合计: ¥106.80380

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MT29F4G16ABAEAWP:E
MT29F4G16ABAEAWP:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥43.71814

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合计: ¥43.71814

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MT41K256M8V89CWC1
MT41K256M8V89CWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V

¥168.10771

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5-7 工作日

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合计: ¥168.10771

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MT29F512G08CKCABH7-6R:A
MT29F512G08CKCABH7-6R:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥30.85475

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合计: ¥30.85475

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MT49H32M18CFM-18:B
MT49H32M18CFM-18:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥80.26582

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合计: ¥80.26582

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MT29F512G08CMCABH7-6C:A
MT29F512G08CMCABH7-6C:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥50.46853

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合计: ¥50.46853

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MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥49.17929

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MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 132-LBGA (12x18)

¥59.52215

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合计: ¥59.52215

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MT49H32M18CFM-25:B
MT49H32M18CFM-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥68.56129

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合计: ¥68.56129

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MT53B1DADS-DC
MT53B1DADS-DC
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 供应商设备包装: 200-WFBGA (10x14.5)

¥16.58624

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合计: ¥16.58624

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N25Q064A13EV740
N25Q064A13EV740
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫

¥13.54422

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合计: ¥13.54422

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MT53B1DBDS-DC
MT53B1DBDS-DC
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 供应商设备包装: 200-WFBGA (10x14.5)

¥119.75411

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合计: ¥119.75411

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N25Q128A13EV740
N25Q128A13EV740
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫

¥13.35591

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合计: ¥13.35591

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RC28F640P33BF60A
RC28F640P33BF60A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥792.54709

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合计: ¥792.54709

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RC28F640P33TF60A
RC28F640P33TF60A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥113.49624

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