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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT29F4G01ABBFD12-AATES:F
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (4G x 1) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥14.39889

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5-7 工作日

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合计: ¥14.39889

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MTFC8GACAENS-AAT
MTFC8GACAENS-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 153-TFBGA (11.5x13)

¥52.98906

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合计: ¥52.98906

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MT28EW128ABA1HPC-1SIT
MT28EW128ABA1HPC-1SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥39.24203

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合计: ¥39.24203

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MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥16.29653

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合计: ¥16.29653

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MT41K64M16TW-125:J
MT41K64M16TW-125:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥122.21670

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合计: ¥122.21670

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MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥18.65771

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合计: ¥18.65771

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MT40A1G16WBU-075E:B
MT40A1G16WBU-075E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥55.01707

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合计: ¥55.01707

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MT28EW256ABA1HJS-0SIT
MT28EW256ABA1HJS-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥121.52138

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合计: ¥121.52138

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MT29F32G08ABCABH1-10Z:A
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥63.30295

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合计: ¥63.30295

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EDFA364A3PD-JDTJ-F-R
EDFA364A3PD-JDTJ-F-R
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥84.59707

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合计: ¥84.59707

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MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥103.89216

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合计: ¥103.89216

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MT40A1G8WE-075E:D
MT40A1G8WE-075E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x12)

¥165.63064

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合计: ¥165.63064

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MT28EW256ABA1HPC-1SIT
MT28EW256ABA1HPC-1SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥54.62595

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合计: ¥54.62595

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MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥22.97448

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EDW4032BABG-50-F-D
EDW4032BABG-50-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.31V~1.65V 时钟频率: 1.25千兆赫 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

¥43.68917

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合计: ¥43.68917

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MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥50.94656

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合计: ¥50.94656

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N25Q064A13E12D1E
N25Q064A13E12D1E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥386.22040

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合计: ¥386.22040

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MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥36.70702

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合计: ¥36.70702

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EDW4032BABG-80-F-D
EDW4032BABG-80-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.31V~1.65V 时钟频率: 2 GHz 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

¥895.01964

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合计: ¥895.01964

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MT49H16M18FM-33:B
MT49H16M18FM-33:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥42.19714

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