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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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M29W320ET70ZS6E
M29W320ET70ZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥66.82300

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MT29F32G08CBADBWP-12IT:D
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥83.67622

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MT29F8G08ABACAH4-ITS:C
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥19.84555

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合计: ¥19.84555

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MT46V32M16TG-5B:J
MT46V32M16TG-5B:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥26.76976

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MT29F256G08CECABH6-6:A
MT29F256G08CECABH6-6:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥64.72255

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MT25QU128ABA8E12-1SIT
MT25QU128ABA8E12-1SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥17.71903

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合计: ¥1,222.61314

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MT40A1G8PM-083E:A
MT40A1G8PM-083E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x13.2)

¥19.96143

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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (4G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 8-UPDFN (8x6) (MLP8)

¥47.61483

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MT46V64M8CV-5B:J
MT46V64M8CV-5B:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x12.5)

¥31.89773

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MT41K1G4RG-107:N
MT41K1G4RG-107:N
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6)

¥11.82041

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MT29F256G08CECABH6-6R:A
MT29F256G08CECABH6-6R:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥112.48224

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MTFC8GACAEDQ-AAT
MTFC8GACAEDQ-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 100-LBGA(14x18)

¥50.41058

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MT28EW01GABA1HJS-0SIT
MT28EW01GABA1HJS-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥208.17114

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MT29F256G08CJABBWP-12:B
MT29F256G08CJABBWP-12:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥52.72831

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MT41K256M16TW-125:P
MT41K256M16TW-125:P
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥71.76265

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MT49H16M18CFM-25:B
MT49H16M18CFM-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥127.70681

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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (4G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥106.03606

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MT28EW01GABA1HPC-0SIT
MT28EW01GABA1HPC-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

¥54.48109

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合计: ¥54.48109

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MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A
MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

¥11.82041

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MT41K512M16HA-107G:A
MT41K512M16HA-107G:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥27.07396

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