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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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M29W128GH70N6E
M29W128GH70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥49.41106

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5-7 工作日

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合计: ¥49.41106

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M25PE20-V6D11
M25PE20-V6D11
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz

¥129.48857

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5-7 工作日

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合计: ¥129.48857

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MT40A4G4NRE-075E:B
MT40A4G4NRE-075E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (4G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x12)

¥57.07405

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5-7 工作日

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合计: ¥57.07405

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M29W128GL70N6E
M29W128GL70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥70.45893

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合计: ¥70.45893

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N25Q032A13EV140
N25Q032A13EV140
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫

¥32.65099

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5-7 工作日

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合计: ¥32.65099

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M29W640GH70NB6E
M29W640GH70NB6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥32.62202

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合计: ¥32.62202

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MT53B2DANW-DC
MT53B2DANW-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

¥77.74529

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5-7 工作日

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合计: ¥77.74529

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MT40A4G4NRE-083E:B
MT40A4G4NRE-083E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (4G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x12)

¥36.50422

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合计: ¥36.50422

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N25Q064A13EV741
N25Q064A13EV741
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫

¥11.37135

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合计: ¥11.37135

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M29W640GL70NB6E
M29W640GL70NB6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥34.53415

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合计: ¥34.53415

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N25Q128A13EV741
N25Q128A13EV741
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫

¥130.01006

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合计: ¥130.01006

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M36W0R5040B5ZAQE
M36W0R5040B5ZAQE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 88-TFBGA (8x10)

¥26.33518

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合计: ¥26.33518

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MT40A512M16JY-075E:B
MT40A512M16JY-075E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥79.38218

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合计: ¥79.38218

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M36W0R5040T5ZAQE
M36W0R5040T5ZAQE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 88-TFBGA (8x10)

¥123.25967

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5-7 工作日

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合计: ¥123.25967

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M58WR064KT70D16
M58WR064KT70D16
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz

¥75.54345

0

5-7 工作日

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合计: ¥75.54345

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M36W0R6050L4ZSE
M36W0R6050L4ZSE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏

¥63.20155

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合计: ¥63.20155

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MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥24.90109

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合计: ¥24.90109

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MT29F1G08ABAEAM68M3WC1
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥321.62822

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合计: ¥321.62822

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MT25QL128ABA1EW7-MSIT
MT25QL128ABA1EW7-MSIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

¥34.46172

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合计: ¥34.46172

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MT29F2G08ABAEAM69A3WC1
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥157.33027

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合计: ¥157.33027

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