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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

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MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

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MT25QL128ABB8ESF-0AUT
MT25QL128ABB8ESF-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

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MT41K256M16LY-107:N
MT41K256M16LY-107:N
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

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MT29F4G08ABADAH4-AT:D
MT29F4G08ABADAH4-AT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

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MT29F4G16ABADAH4-AAT:D
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-LBGA (14x18)

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MT41K2G4RKB-107:N
MT41K2G4RKB-107:N
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (2G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥46.12279

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MT29F16G08ADBCAH4:C
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥118.52282

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MT29F64G08CBCDBJ4-6ITR:D
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

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EDB8132B4PM-1DAT-F-D
EDB8132B4PM-1DAT-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 168-FBGA (12x12)

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MT29F16G08ADBCAH4-IT:C
MT29F16G08ADBCAH4-IT:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (2G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 16-SO

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MTFC4GMWDQ-AIT
MTFC4GMWDQ-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 100-LBGA(14x18)

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EDB4064B4PB-1DIT-F-D
EDB4064B4PB-1DIT-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (64M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 216-WFBGA (12x12)

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MT29F16G16ADACAH4:C
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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MT29F16G16ADACAH4-IT:C
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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MT41K512M8RG-093:N
MT41K512M8RG-093:N
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6)

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MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

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