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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT51J256M32HF-60:A
MT51J256M32HF-60:A
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.31V~1.39V、1.46V~1.55V 时钟频率: 1.5千兆赫 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

¥137.16604

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合计: ¥137.16604

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MT51J256M32HF-70:A
MT51J256M32HF-70:A
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.31V~1.39V、1.46V~1.55V 时钟频率: 1.75千兆赫 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

¥25.17632

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合计: ¥25.17632

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MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥147.39302

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合计: ¥147.39302

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N25Q064A13E14D1E
N25Q064A13E14D1E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥22.43850

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合计: ¥22.43850

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MT47H128M8CF-25E:M
MT47H128M8CF-25E:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥41.48009

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合计: ¥41.48009

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MT29F4G08ABAEAH4:E
MT29F4G08ABAEAH4:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥28.97160

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合计: ¥1,825.21080

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MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥43.90646

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M25PX80-VMN6TP00
M25PX80-VMN6TP00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥23.97400

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合计: ¥23.97400

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MT51J256M32HF-80:A
MT51J256M32HF-80:A
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.31V~1.39V、1.46V~1.55V 时钟频率: 2 GHz 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

¥23.00345

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合计: ¥23.00345

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MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F
MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥50.70030

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合计: ¥50.70030

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MT28GU01GAAA2EGC-0SIT
MT28GU01GAAA2EGC-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 64-TBGA (10x8)

¥60.39130

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合计: ¥60.39130

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MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: Die

¥28.88469

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合计: ¥28.88469

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MT28GU512AAA2EGC-0SIT
MT28GU512AAA2EGC-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 64-TBGA (10x8)

¥51.13487

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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥32.76688

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N25Q032A13ESEC0E
N25Q032A13ESEC0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOP2

¥55.07501

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MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥70.86453

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M25P16-V6D11
M25P16-V6D11
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz

¥137.73099

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MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥72.00891

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N25Q032A13EV741
N25Q032A13EV741
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫

¥399.46042

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MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥13.88174

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