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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C
MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥11.80593

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PC28F128P30B85E
PC28F128P30B85E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥11.60313

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MT38M4041A3034EZZI.XK6
MT38M4041A3034EZZI.XK6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 256Mb (16M x 16), 128M (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 56-VFBGA (8x8)

¥115.62566

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MT35XU256ABA1G12-0AAT
MT35XU256ABA1G12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥69.98090

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MT48H8M32LFB5-75:H
MT48H8M32LFB5-75:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥37.48925

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MT29F64G08CECCBH1-12Z:C
MT29F64G08CECCBH1-12Z:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥76.57194

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TE28F256J3D95A
TE28F256J3D95A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥12.80545

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RC28F256J3D95A
RC28F256J3D95A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥17.20913

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MT38W1011A90YZQXZI.XB8
MT38W1011A90YZQXZI.XB8
PARALLEL/PSRAM 48M

¥40.67613

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MT25QU128ABA1EW7-MSIT
MT25QU128ABA1EW7-MSIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

¥61.44876

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MT29F64G08CFACAWP-Z:C
MT29F64G08CFACAWP-Z:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥40.61818

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MT29F1G01ABBFDSF-IT:F
MT29F1G01ABBFDSF-IT:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (1G x 1) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 16-SO

¥171.93196

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JS28F128P33B85A
JS28F128P33B85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

¥35.54815

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MT25QL02GCBA8E12-0SI
MT25QL02GCBA8E12-0SI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

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MT38W2011A90YZQXZI.X68
MT38W2011A90YZQXZI.X68
PARALLEL/PSRAM 80M

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JS28F128P33T85A
JS28F128P33T85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

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MT51J256M32HF-70:B
MT51J256M32HF-70:B
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.31V~1.39V、1.46V~1.55V 时钟频率: 1.75千兆赫 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

¥997.55680

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MT40A1G4RH-075E:B
MT40A1G4RH-075E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

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MT29F64G08CFACBWP-12Z:C
MT29F64G08CFACBWP-12Z:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

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PC28F128P33B85A
PC28F128P33B85A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

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