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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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M29W640GB70N3E
M29W640GB70N3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥124.31714

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合计: ¥124.31714

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MT41K512M4DA-125:K
MT41K512M4DA-125:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥40.87893

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PZ28F064M29EWHX
PZ28F064M29EWHX
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-BGA (6x8)

¥65.83796

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合计: ¥65.83796

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EDF8132A3PB-GD-F-D
EDF8132A3PB-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 216-WFBGA (12x12)

¥31.79633

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合计: ¥31.79633

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MT29F512G08CMCCBH7-6C:C
MT29F512G08CMCCBH7-6C:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥67.77906

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MT41K512M8V80AWC1
MT41K512M8V80AWC1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V

¥28.78329

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合计: ¥28.78329

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M29W640GB70ZA3E
M29W640GB70ZA3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥84.93025

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M25P10-AVMN6PYA
M25P10-AVMN6PYA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥13.92085

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合计: ¥13.92085

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EDF8132A3PB-JD-F-D
EDF8132A3PB-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 216-FBGA (12x12)

¥30.94167

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合计: ¥30.94167

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MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥18.57080

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M29W640GB70ZS6E
M29W640GB70ZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥23.69877

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合计: ¥23.69877

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M25P16S-VMN6P
M25P16S-VMN6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥43.54432

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MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 132-LBGA (12x18)

¥15.06523

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M29W640GB7AN6E
M29W640GB7AN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥48.64332

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合计: ¥48.64332

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M25P16-VMF3PB
M25P16-VMF3PB
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 16-SOP2

¥66.73608

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EDF8132A3PD-GD-F-D
EDF8132A3PD-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥54.79978

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MT29F256G08CJABBWP-12IT:B
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥61.33288

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合计: ¥61.33288

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M29W640GH7ANB6E
M29W640GH7ANB6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥85.17650

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合计: ¥85.17650

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M25P64S-VMF6P
M25P64S-VMF6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 16-SOP2

¥114.66959

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合计: ¥114.66959

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EDF8132A3PF-GD-F-D
EDF8132A3PF-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥131.45864

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