品牌介绍
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破，如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式，他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中，他们为行业的发展贡献了40000多项专利，是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司，他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz | ¥52.81523 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.81523 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥59.94224 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.94224 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11) | ¥79.82400 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.82400 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC FLASH 8G SLC | ¥40.37193 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.37192 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (1G x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（9.5x14） | ¥25.91510 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.91510 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 168-FBGA (12x12) | ¥5,675.10187 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,675.10187 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥276.85261 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥276.85261 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11) | ¥52.00402 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.00402 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 168-FBGA (12x12) | ¥270.37746 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥270.37746 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11) | ¥86.24845 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.24845 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13) | ¥77.18034 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.18034 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥26.13238 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.13238 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11) | ¥37.34439 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.34439 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11) | ¥87.11760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.11760 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13) | ¥43.34151 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.34151 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5) | ¥440.13655 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥440.13655 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11) | ¥54.84324 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.84324 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5) | ¥72.51592 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.51592 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18) | ¥42.09574 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.09574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5) | ¥25.04595 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.04595 | 添加到BOM 立即询价 |