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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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M29W128GL7AZA6E
M29W128GL7AZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥25.00249

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EDB4432BBBH-1D-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥45.57233

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EDY4016AABG-JD-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥84.04661

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N25Q512A13G1241E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥26.21930

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EDB4432BBPA-1D-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 168-FBGA (12x12)

¥78.56863

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ECY4008AACS-Y3
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IC SDRAM DDR4

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M29W128GL7AZS6E
M29W128GL7AZS6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥43.90646

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MT29F8G08ABBCAH4:C
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥42.34489

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EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥37.19953

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N25Q512A83G1241E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥119.23262

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M29W128GL90N6E
M29W128GL90N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥13.24002

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EDB5432BEBH-1DAUT-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥18.64323

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MT29F8G16ABACAH4-IT:C
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥125.24423

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N25W032A11EF640E
N25W032A11EF640E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥24.64035

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MT29F8G16ABACAWP-IT:C
MT29F8G16ABACAWP-IT:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥64.23004

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EDB5432BEBH-1DIT-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥49.83115

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EDB2432BCPE-8D-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 168-WFBGA (12x12)

¥14.57272

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N25W064A11EF640E
N25W064A11EF640E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)

¥66.72160

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EDB5432BEPA-1DAAT-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 168-WFBGA (12x12)

¥27.40713

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EDB5432BEPA-1DIT-F-D
EDB5432BEPA-1DIT-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 168-WFBGA (12x12)

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