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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F256G08CEECBH6-12:C
MT29F256G08CEECBH6-12:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥9.45923

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MT49H16M36SJ-25:B
MT49H16M36SJ-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥4.17191

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MT44K32M18RB-093:A
MT44K32M18RB-093:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥31.08653

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NP5Q128AE3ESFC0E
NP5Q128AE3ESFC0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 16-SO W

¥72.96498

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MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 132-TBGA (12x18)

¥8.76391

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MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2
IC FLASH 8G DDR2

¥18.46940

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MT49H8M36SJ-25:B
MT49H8M36SJ-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥30.33327

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MT44K32M18RB-093E:A
MT44K32M18RB-093E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥35.67853

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NP8P128AE3TSM60E
NP8P128AE3TSM60E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP (18.4x14)

¥31.14447

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N25Q064A13ESF42EE01
N25Q064A13ESF42EE01
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO

¥190.99527

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MT29E512G08CUCDBJ6-6:D
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 132-LBGA (12x18)

¥65.91039

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MT49H32M9SJ-25:B
MT49H32M9SJ-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥19.70069

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MT44K32M18RB-125:A
MT44K32M18RB-125:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥40.69061

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MT29F32G08CBADAL83A3WC1
MT29F32G08CBADAL83A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥17.70165

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MT49H8M36BM-5:B
MT49H8M36BM-5:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥10.82089

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MT44K32M18RB-125E:A
MT44K32M18RB-125E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)

¥98.70624

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MT49H8M36BM-TI:B
MT49H8M36BM-TI:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥37.80794

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MT41J128M16JT-093:K
MT41J128M16JT-093:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥23.28882

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PC28F00AM29EWLD
PC28F00AM29EWLD
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

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MT41J256M16HA-093:E
MT41J256M16HA-093:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

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