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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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PC28F00BM29EWHA
PC28F00BM29EWHA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8, 128M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥108.64350

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合计: ¥3,476.59200

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MT29F64G08CBABAWP-IT:B
MT29F64G08CBABAWP-IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥41.01654

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MT41J256M16HA-125:E
MT41J256M16HA-125:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥71.12528

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5-7 工作日

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合计: ¥71.12528

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MT29F64G08CBCBBH1-10:B
MT29F64G08CBCBBH1-10:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥29.10197

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合计: ¥29.10197

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MT41J256M8DA-093:K
MT41J256M8DA-093:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥75.00747

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MT29F128G08CBECBH6-12:C
MT29F128G08CBECBH6-12:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥8.69148

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PC28F128J3F75D
PC28F128J3F75D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥27.33471

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MT49H8M36SJ-5:B
MT49H8M36SJ-5:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥21.83010

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MT41J256M8DA-107:K
MT41J256M8DA-107:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥57.63320

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合计: ¥57.63320

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MT29F128G08CFABAWP-IT:B
MT29F128G08CFABAWP-IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥42.63171

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MT49H8M36SJ-TI:B
MT49H8M36SJ-TI:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥476.52279

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MT41J256M8DA-125:K
MT41J256M8DA-125:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥89.82425

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MT29F16G08ABACAM72A3WC1P
MT29F16G08ABACAM72A3WC1P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥477.84309

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MT41J512M8RH-093:E
MT41J512M8RH-093:E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥41.44387

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PC28F128J3F75F
PC28F128J3F75F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥67.61971

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MT29F256G08CJABAWP-IT:B
MT29F256G08CJABAWP-IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥41.60322

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MT41J64M16JT-125E:G
MT41J64M16JT-125E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥34.92526

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PC28F128J3F75G
PC28F128J3F75G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥517.92529

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MT41K128M16JT-107G:K
MT41K128M16JT-107G:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥46.60082

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PC28F256M29EWHD
PC28F256M29EWHD
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥30.20289

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