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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT40A512M8HX-093E:A
MT40A512M8HX-093E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥200.87459

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EDFB164A1MA-GD-F-D
EDFB164A1MA-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Gb (512M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥128.46007

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MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A
MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18)

¥33.14351

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M29W128GH7AZA6E
M29W128GH7AZA6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TBGA (10x13)

¥133.92122

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EDB4064B3PB-8D-F-D
EDB4064B3PB-8D-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (64M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 216-WFBGA (12x12)

¥48.03491

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MT49H32M18FM-33:B
MT49H32M18FM-33:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥192.66114

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EDFB164A1MA-JD-F-D
EDFB164A1MA-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Gb (512M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥71.45845

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MT29F64G08AECABH1-10Z:A
MT29F64G08AECABH1-10Z:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥12.89236

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PC48F4400P0TB0EE
PC48F4400P0TB0EE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥18.38248

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PC48F4400P0TB0EH
PC48F4400P0TB0EH
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥47.84660

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M29W128GL70N3E
M29W128GL70N3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥454.89758

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MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:A
MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫

¥51.74328

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RC48F4400P0TB0EJ
RC48F4400P0TB0EJ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥28.46460

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EDB130ABDBH-1D-F-D
EDB130ABDBH-1D-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16, 32M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥26.10341

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EDB4064B3PD-8D-F-D
EDB4064B3PD-8D-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (64M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 240-FBGA (14x14)

¥12.41433

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N25Q256A11E1241E
N25Q256A11E1241E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥29.89869

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MT29F64G08AECABJ1-10Z:A
MT29F64G08AECABJ1-10Z:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Gb (8G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥29.86972

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EDF840AAABH-GD-F-D
EDF840AAABH-GD-F-D
LPDDR3 256MX32 PLASTIC GREEN LFB

¥30.91270

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JS28F256P33BFE
JS28F256P33BFE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 56-TSOP

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EDB4064B3PP-1D-F-D
EDB4064B3PP-1D-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (64M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 240-FBGA (14x14)

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