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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F1G08ABBEAM68M3WC1
MT29F1G08ABBEAM68M3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: Die

¥92.26006

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5-7 工作日

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合计: ¥92.26006

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MT29E512G08CKCCBH7-6:C
MT29E512G08CKCCBH7-6:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-TBGA (14x18)

¥58.10254

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合计: ¥58.10254

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MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: Die

¥128.08344

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合计: ¥128.08344

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MT29E6T08ETHBBM5-3:B
MT29E6T08ETHBBM5-3:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 6Tb (768G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫

¥229.13638

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合计: ¥229.13638

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MT29E768G08EEHBBJ4-3:B
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 768Gb (96G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥31.55007

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合计: ¥31.55007

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MT29F128G08AECBBH6-6IT:B
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥56.07453

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合计: ¥56.07453

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MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 132-TBGA (12x18)

¥18.61425

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MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 132-TBGA (12x18)

¥19.84555

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合计: ¥19.84555

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MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: Die

¥108.80284

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合计: ¥108.80284

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MT29F128G08CBCBBH6-6R:B
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 152-VBGA (14x18)

¥141.51178

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合计: ¥141.51178

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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 162-VFBGA (10.5x8)

¥164.35589

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合计: ¥164.35589

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MT29F128G08EBEBBB95A3WC1
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥48.52743

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合计: ¥48.52743

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MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥30.55055

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合计: ¥30.55055

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MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die

¥38.35840

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合计: ¥38.35840

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MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: Die

¥35.54815

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合计: ¥35.54815

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MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥560.18037

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合计: ¥560.18037

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MT29F128G08EBEBBWP:B
MT29F128G08EBEBBWP:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥39.90838

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M28W640HCB70N6E
M28W640HCB70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥11.86387

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合计: ¥11.86387

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MT29F256G08EBHAFB16A3WEA
MT29F256G08EBHAFB16A3WEA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: Die

¥150.14532

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合计: ¥150.14532

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MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1.5Tb(192G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

¥32.63651

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合计: ¥32.63651

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