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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 电源电压: 1.8伏 时钟频率: 533 MHz

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MT40A256M16GE-062E:B
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

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MT40A512M8RH-083E:B
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

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MT29F4T08CTHBBM5-3C:B
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Tb (512G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫

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MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

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MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Tb (512G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫

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MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)

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EDW2032BBBG-7A-F-D
EDW2032BBBG-7A-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.31V~1.65V 时钟频率: 1.75千兆赫 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

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EDW2032BBBG-6A-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.31V~1.65V 时钟频率: 1.5千兆赫 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

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EDW2032BBBG-50-F-D
EDW2032BBBG-50-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.31V~1.65V 时钟频率: 1.25千兆赫 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

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EDW2032BBBG-60-F-D
EDW2032BBBG-60-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.31V~1.65V 时钟频率: 1.5千兆赫 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

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MT51J256M32HF-60S:A
MT51J256M32HF-60S:A
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.31V~1.39V、1.46V~1.55V 时钟频率: 1.5千兆赫 供应商设备包装: 170-FBGA (12x14)

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MT53D4DHSB-DC
MT53D4DHSB-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

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MT28HL64GRBA6EBL-0GCT
MT28HL64GRBA6EBL-0GCT
NOR FLASH 1GX64 PLASTIC PBF TLGA

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N28H00CB03JDK11E
N28H00CB03JDK11E
NOR FLASH 256MX16 PLASTIC 3.3V

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N28H00EB03EDK34E
N28H00EB03EDK34E
NOR FLASH 512MX32 PLASTIC PBF TF

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M29DW256G70NF3E
M29DW256G70NF3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

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M29W512GH70N3E
M29W512GH70N3E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

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M29W512GH7AN6E
M29W512GH7AN6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

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ECF840AAACN-C1-Y3
ECF840AAACN-C1-Y3
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏

¥14.97832

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