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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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EDFP112A3PD-GD-F-D
EDFP112A3PD-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥12.03770

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5-7 工作日

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合计: ¥12.03770

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EDFP112A3PF-GD-F-D
EDFP112A3PF-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥40.84996

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5-7 工作日

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合计: ¥40.84996

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EDFP112A3PF-GDTJ-F-D
EDFP112A3PF-GDTJ-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥33.47668

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5-7 工作日

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合计: ¥33.47668

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EDFP112A3PF-JD-F-D
EDFP112A3PF-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥28.07348

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合计: ¥28.07348

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EDFP112A3PF-JDTJ-F-D
EDFP112A3PF-JDTJ-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (192M x 128) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥89.02973

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合计: ¥89.02973

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MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥37.82242

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合计: ¥37.82242

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EDFP164A3PB-GD-F-D
EDFP164A3PB-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (384M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 216-FBGA (15x15)

¥52.33720

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合计: ¥52.33720

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EDFP164A3PB-JD-F-D
EDFP164A3PB-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (384M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 216-FBGA (15x15)

¥143.48185

0

5-7 工作日

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合计: ¥143.48185

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EDFP264A2PB-JD-F-D
EDFP264A2PB-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 24Gb (384M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

¥63.04220

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合计: ¥63.04220

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EMFA164A2PB-DV-F-D
EMFA164A2PB-DV-F-D
LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC WF

¥27.85619

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合计: ¥27.85619

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EMFA164A2PM-DV-F-D
EMFA164A2PM-DV-F-D
LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC VF

¥16.29653

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合计: ¥16.29653

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M29W160EB80ZA3SE
M29W160EB80ZA3SE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥40.96584

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合计: ¥40.96584

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MT41J128M16HA-125:D
MT41J128M16HA-125:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥27.87068

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合计: ¥27.87068

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N25Q00AA11GSF40G
N25Q00AA11GSF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO

¥89.08767

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合计: ¥267.26301

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MT25QL256ABA8E14-1SIT
MT25QL256ABA8E14-1SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥18.41145

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合计: ¥18.41145

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N25Q064A13ESFD0G
N25Q064A13ESFD0G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥138.64359

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5-7 工作日

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合计: ¥138.64359

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MT41J128M16HA-125G:D
MT41J128M16HA-125G:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥34.30237

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合计: ¥34.30237

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MT28EW256ABA1LPN-0SIT
MT28EW256ABA1LPN-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-VFBGA (7x9)

¥12.16807

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合计: ¥12.16807

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MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: Die

¥47.89006

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合计: ¥47.89006

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N25Q256A81ESF40G
N25Q256A81ESF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥101.95106

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