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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT28EW512ABA1HPN-0SIT
MT28EW512ABA1HPN-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-VFBGA (7x9)

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N25Q512A11GSF40G
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO

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MT41J128M16HA-15E:D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

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MT28EW512ABA1LPN-0SIT
MT28EW512ABA1LPN-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-VFBGA (7x9)

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N25Q512A81GSF40G
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO

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MT41J128M16HA-187E:D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

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MT25QL512ABB8E12-1SIT
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

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EDB8164B4PK-1D-F-D
EDB8164B4PK-1D-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (128M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 220-FBGA (14x14)

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MT41J128M8JP-125:G
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x11.5)

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EDBA164B2PF-1D-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz

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MT28EW512ABA1HPC-0AAT
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

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EDF8164A3PF-GD-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (128M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

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MT41J128M8JP-15E:G
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x11.5)

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MT28EW512ABA1LPC-0AAT
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LBGA (11x13)

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EDF8164A3PF-JD-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (128M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

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MT41J1G4THD-15E:D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

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MT25TL512HBA8E12-0AAT
MT25TL512HBA8E12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

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EDFA164A2PF-GD-F-D
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

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MT41J256M4JP-125:G
MT41J256M4JP-125:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x11.5)

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EDFA164A2PF-JD-F-D
EDFA164A2PF-JD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 933兆赫

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