品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥10.34130 | 31 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,116.86008 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥13.23669 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,353.61072 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥40.66105 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,839.97507 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V、1.425V～1.575V 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥34.77910 | 192 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,886.26220 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥40.66105 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,839.97507 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥12.32758 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,331.37886 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥25.06503 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,707.02356 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥14.64051 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥644.18235 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥6.44618 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.44618 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥47.33728 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,082.84019 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥47.33728 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,082.84019 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥21.92723 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,368.14062 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥42.82198 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,884.16712 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (FLASH-NOR), 1Gb (FLASH-NAND) (2M x 8 (FLASH-NOR), 128M x 8 (FLASH-NAND)) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥31.62475 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,179.87856 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥42.89608 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,887.42730 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥25.62748 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,301.19088 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥20.17314 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥887.61825 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V、1.425V～1.575V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥31.93821 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,323.76598 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥93.66221 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,702.15826 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥93.66221 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,702.15826 | 添加到BOM 立即询价 |