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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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描述
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W25Q256JWFIQ
W25Q256JWFIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥19.14821

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2-3 工作日

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合计: ¥842.52142

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W25Q256JWEIQ
W25Q256JWEIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥21.40775

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2-3 工作日

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合计: ¥10,275.71760

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W29GL512PH9B
W29GL512PH9B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13)

¥34.49656

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5-7 工作日

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合计: ¥5,898.91125

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W29GL512PL9B
W29GL512PL9B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13)

¥34.49656

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5-7 工作日

- +

合计: ¥5,898.91125

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W29GL512SH9B
W29GL512SH9B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13)

¥34.49656

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5-7 工作日

- +

合计: ¥5,898.91125

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W29GL512SL9B
W29GL512SL9B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13)

¥34.49656

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5-7 工作日

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合计: ¥5,898.91125

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W74M25JWZEIQ
W74M25JWZEIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥29.51424

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5-7 工作日

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合计: ¥14,166.83424

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W25N02JWZEIF
W25N02JWZEIF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥58.32744

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2-3 工作日

- +

合计: ¥27,997.16928

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W9825G6JB-6
W9825G6JB-6
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥37.79198

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2-3 工作日

- +

合计: ¥12,055.64003

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W25N01GVSFIT
W25N01GVSFIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥21.72703

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5-7 工作日

- +

合计: ¥955.98950

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W25N01GVTBIG
W25N01GVTBIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥21.74210

0

5-7 工作日

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合计: ¥10,436.20752

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W25N01GVTCIG
W25N01GVTCIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥21.74210

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5-7 工作日

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合计: ¥10,436.20752

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W25M02GWZEIT
W25M02GWZEIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥38.30198

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18,384.94848

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W25N02JWTBIF
W25N02JWTBIF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥38.30198

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18,384.94848

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W9825G2JB-6
W9825G2JB-6
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥65.29520

0

2-3 工作日

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合计: ¥15,670.84800

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W9825G2JB-6I
W9825G2JB-6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥85.22111

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2-3 工作日

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合计: ¥20,453.06712

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W9825G2JB-75
W9825G2JB-75
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥65.29520

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2-3 工作日

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合计: ¥15,670.84800

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W989D6DBGX6E
W989D6DBGX6E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9)

¥31.39703

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5-7 工作日

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合计: ¥9,795.87336

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W94AD6KBHX5E
W94AD6KBHX5E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥47.91257

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2-3 工作日

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合计: ¥14,948.72278

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W9864G6KH-5
W9864G6KH-5
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥10.86677

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合计: ¥1,173.61105

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