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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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W25Q16JWSNIQ
W25Q16JWSNIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥3.54105

0

5-7 工作日

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合计: ¥354.10540

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W25Q256JVMIQ
W25Q256JVMIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WFLGA (6x5)

¥19.31174

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11,007.69408

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W956D8MBYA5I
W956D8MBYA5I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥16.01840

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,997.74018

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W25Q64JWSSIQ
W25Q64JWSSIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.37109

2587

2-3 工作日

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合计: ¥4.37109

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W956D8MBYA6I
W956D8MBYA6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥16.01840

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,997.74018

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W25Q128JVFIQ
W25Q128JVFIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥7.77598

18832

2-3 工作日

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合计: ¥7.77598

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W9751G8KB-25
W9751G8KB-25
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (8x12.5)

¥17.67268

1

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.67268

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W25N01JWZEIG
W25N01JWZEIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥22.43532

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,768.95216

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W25R128JVPIQ
W25R128JVPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥16.13617

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,197.61519

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W948D2FBJX5I
W948D2FBJX5I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥24.72516

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,934.03840

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W948D2FBJX6E
W948D2FBJX6E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥29.11117

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,986.68104

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W988D2FBJX6E
W988D2FBJX6E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥29.11117

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,986.68104

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W9725G6KB25I
W9725G6KB25I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5)

¥22.06984

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,612.59677

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W988D2FBJX6I
W988D2FBJX6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥29.11117

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,986.68104

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W9725G6KB-18
W9725G6KB-18
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5)

¥19.41372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,057.46832

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W988D2FBJX7E
W988D2FBJX7E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥29.11117

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,986.68104

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W9725G8KB-18
W9725G8KB-18
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 60-WBGA (8x12.5)

¥22.43767

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,689.47324

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W9725G8KB-25
W9725G8KB-25
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (8x12.5)

¥22.43767

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,689.47324

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W9725G8KB25I
W9725G8KB25I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (8x12.5)

¥28.70130

0

2-3 工作日

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合计: ¥5,998.57212

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W9816G6JB-6
W9816G6JB-6
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (6.4x10.1)

¥19.20076

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2-3 工作日

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合计: ¥5,491.41765

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