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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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W632GU6NB-11
W632GU6NB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥33.94552

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2-3 工作日

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合计: ¥6,721.21237

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W25Q32JVTBIQ
W25Q32JVTBIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥10.22569

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2-3 工作日

- +

合计: ¥4,908.33264

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W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVTCIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥8.07294

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,875.00928

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W949D6DBHX5E
W949D6DBHX5E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥32.33757

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2-3 工作日

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合计: ¥10,089.32215

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W25Q128JWSIQ
W25Q128JWSIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥5.02368

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2-3 工作日

- +

合计: ¥452.13075

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W25Q128JWSIM
W25Q128JWSIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥11.80028

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,062.02502

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W631GU6NB12I
W631GU6NB12I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V、1.425V~1.575V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥41.13967

281

5-7 工作日

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合计: ¥41.13967

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W632GG6NB11I
W632GG6NB11I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥49.30807

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,762.99786

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W632GU6NB11I
W632GU6NB11I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥43.61421

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥8,635.61338

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W978H2KBVX2E
W978H2KBVX2E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥39.10566

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,569.75021

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W978H2KBVX2I
W978H2KBVX2I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥39.10566

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,569.75021

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W978H6KBVX1E
W978H6KBVX1E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥35.79803

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,014.06954

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W632GG8NB-09
W632GG8NB-09
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥33.81940

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥8,184.29553

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W978H2KBVX1I
W978H2KBVX1I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥35.79803

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,014.06954

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W632GU8NB-09
W632GU8NB-09
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥33.81940

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥8,184.29553

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W978H2KBVX1E
W978H2KBVX1E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥35.79803

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,014.06954

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W978H6KBVX1I
W978H6KBVX1I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥35.79803

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,014.06954

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W25R128JWSIQ
W25R128JWSIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥18.05416

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,624.87440

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W947D6HBHX5I
W947D6HBHX5I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥19.53706

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2-3 工作日

- +

合计: ¥6,095.56397

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W947D6HBHX6E
W947D6HBHX6E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥23.26792

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥7,259.59042

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