品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥46.61530 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.61530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥104.45710 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥104.45710 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥35.41778 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.41778 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥25.42258 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.42258 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥66.70711 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.70711 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥24.22026 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.22026 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥32.65099 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.65099 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥41.28453 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.28453 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥121.88352 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥121.88352 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥47.55688 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.55688 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 1.067 GHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥49.15032 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.15032 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥164.79046 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥164.79046 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥266.00275 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥266.00275 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA（7.5x13） | ¥27.81274 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.81274 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥30.69541 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.69541 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 2Gb (NAND), 1Gb (LPDDR) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 130-FBGA (8x9) | ¥115.71257 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥115.71257 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥60.76793 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.76793 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥97.19972 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥97.19972 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥561.91867 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥561.91867 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6) | ¥31.78185 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.78185 | 添加到BOM 立即询价 |