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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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2SCR502U3HZGT106
2SCR502U3HZGT106
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: UMT3

¥3.18688

2399

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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2SCR543RTL
2SCR543RTL
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 1 W 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: TSMT3

¥1.30155

95

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.30155

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2SCR544RTL
2SCR544RTL
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 2.5 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1 W 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: TSMT3

¥4.78031

2218

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.78031

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2SC5876T106Q
2SC5876T106Q
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: UMT3

¥0.92637

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.92637

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2SCR514P5T100
2SCR514P5T100
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: MPT3

¥3.18688

2000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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2SD2153T100W
2SD2153T100W
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 2 W 特征频率: 110兆赫 供应商设备包装: MPT3

¥4.78031

2000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.78031

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2SAR573D3TL1
2SAR573D3TL1
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 10 W 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: TO-252

¥6.22889

8137

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.22889

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2SD2662T100
2SD2662T100
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1.5 A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 2 W 特征频率: 330MHz 供应商设备包装: MPT3

¥4.27331

585

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.27331

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2SCR573D3TL1
2SCR573D3TL1
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 10 W 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TO-252

¥3.36433

43

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.36433

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2SAR543RTL
2SAR543RTL
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 1 W 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: TSMT3

¥4.27331

580

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.27331

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2SC4102U3HZGT106R
2SC4102U3HZGT106R
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 120伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 140MHz 供应商设备包装: UMT3

¥2.75230

652

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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2SAR544RTL
2SAR544RTL
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 2.5 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1 W 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: TSMT3

¥0.71343

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.71343

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MMSTA06T146
MMSTA06T146
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SMT3

¥2.75230

257

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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2SD2318TLV
2SD2318TLV
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 15瓦 特征频率: 50MHz 供应商设备包装: CPT3

¥7.46019

3613

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.46019

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2SC3906KT146S
2SC3906KT146S
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 120伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 140MHz 供应商设备包装: SMT3

¥1.56736

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.56736

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2SCR544PHZGT100
2SCR544PHZGT100
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: SOT-89

¥4.34574

864

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.34574

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2SCR542PT100
2SCR542PT100
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 2 W 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: MPT3

¥1.20522

44

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.20522

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2SCR533PHZGT100
2SCR533PHZGT100
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: SOT-89

¥4.34574

850

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.34574

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2SAR533PHZGT100
2SAR533PHZGT100
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-89

¥4.34574

760

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.34574

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UML6NTR
UML6NTR
晶体管类别: NPN+二极管(隔离) 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 120毫瓦 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: UMT5

¥3.25931

4335

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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