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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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2SAR553PHZGT100
2SAR553PHZGT100
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: SOT-89

¥3.91117

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.91117

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2SD2675TL
2SD2675TL
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3

¥3.33173

1881

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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2SC4617TLQ
2SC4617TLQ
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: EMT3

¥0.11589

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11589

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2SC4617EBTLR
2SC4617EBTLR
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL)

¥0.10430

2980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10430

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2SC5658T2LQ
2SC5658T2LQ
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: VMT3

¥0.14776

1950

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14776

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2SCR372PHZGT100Q
2SCR372PHZGT100Q
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 120伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 220兆赫 供应商设备包装: SOT-89

¥5.14246

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.14246

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MMSTA28T146
MMSTA28T146
晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMT3

¥0.31145

330

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.31145

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2SC4081U3T106Q
2SC4081U3T106Q
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: UMT3

¥0.11951

1428

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11951

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2SAR544PHZGT100
2SAR544PHZGT100
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 2.5 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: SOT-89

¥5.64946

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.64946

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2SCR553P5T100
2SCR553P5T100
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: MPT3

¥3.83874

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.83874

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2SAR642PHZGT100
2SAR642PHZGT100
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 240MHz 供应商设备包装: SOT-89

¥5.86675

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.86675

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BSS4130AHZGT116
BSS4130AHZGT116
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: SST3

¥3.40416

2846

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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2SAR502EBTL
2SAR502EBTL
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 520MHz 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL)

¥1.88315

20

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.88315

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2SCR533P5T100
2SCR533P5T100
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: MPT3

¥3.98360

1

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.98360

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UML2NTR
UML2NTR
晶体管类别: NPN+二极管(隔离) 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: UMT5

¥2.96959

150

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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2SAR502UBTL
2SAR502UBTL
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 520MHz 供应商设备包装: UMT3F

¥0.26292

4000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.26292

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2SCRC41CHZGT116S
2SCRC41CHZGT116S
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 75 V 最大功率: 1 W 特征频率: 140MHz 供应商设备包装: SOT-89-3

¥3.40416

2241

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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2SB1695TL
2SB1695TL
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1.5 A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: TSMT3

¥3.04202

910

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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2SCR502EBTL
2SCR502EBTL
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL)

¥0.15645

186

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15645

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2SAR513PT100
2SAR513PT100
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 2 W 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: MPT3

¥6.80833

308

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.80833

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