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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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操作
2SCR502UBTL
2SCR502UBTL
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: UMT3F

¥0.25640

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25640

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2SA1576U3T106R
2SA1576U3T106R
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 140MHz 供应商设备包装: UMT3

¥0.08836

2980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08836

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BSS5130AHZGT116
BSS5130AHZGT116
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: SST3

¥3.40416

1850

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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2SC4725TLP
2SC4725TLP
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 1.5GHz 供应商设备包装: EMT3

¥3.04202

445

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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2SD2654TLW
2SD2654TLW
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT3

¥3.04202

443

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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2SCR553PFRAT100
2SCR553PFRAT100
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: MPT3

¥3.40416

1182

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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2SCR586D3FRATL
2SCR586D3FRATL
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 10 W 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: TO-252

¥12.31293

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.31293

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2SC2411KT146R
2SC2411KT146R
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 32伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT3

¥0.95824

143

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.95824

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2SAR523MT2L
2SAR523MT2L
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: VMT3

¥0.20135

270

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.20135

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2SAR553PFRAT100
2SAR553PFRAT100
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: MPT3

¥1.11468

54

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.11468

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2SC4081U3T106R
2SC4081U3T106R
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: UMT3

¥1.52101

5

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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2SAR513P5T100
2SAR513P5T100
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: MPT3

¥1.21174

4

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.21174

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2SD2143TL
2SD2143TL
晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 10 W 供应商设备包装: CPT3

¥5.79649

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.79649

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2SD2351T106W
2SD2351T106W
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT3

¥0.67142

200

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.67142

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2SCR554RTL
2SCR554RTL
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1.5 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1 W 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: TSMT3

¥4.20088

5

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.20088

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2SAR293PFRAT100
2SAR293PFRAT100
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: MPT3

¥3.11445

391

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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2SAR523EBTL
2SAR523EBTL
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL)

¥0.14558

2994

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14558

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2SB1316TL
2SB1316TL
晶体管类别: PNP-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 10 W 特征频率: 50MHz 供应商设备包装: CPT3

¥2.49652

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.49652

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2SD2696T2L
2SD2696T2L
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 400毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: VMT3

¥3.54902

4462

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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2SC4617EBTLQ
2SC4617EBTLQ
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL)

¥0.25930

6675

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25930

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